集積回路の集積度の歴史

中心年代	名　称	略　称	1チップの 素子数	DRAM	MPU
1960年代前半	小規模集積回路	SSI: small scale integration	10−100		――
1960年代後半	中規模集積回路	MSI: medium scale integration	100−1000	1968特許	――
1970年代	大規模集積回路	LSI: large scale integration	1000−10万	1K, 16K 256K（境界）	4b, 8b
1980年代	超LSI	VLSI: very large scale integration	10万−数百万	256K, 4M	16b, 32b
1990年代	超々LSI	ULSI: ultra large scale integration	数百万以上	16M, 64M, 256M, 1G...	64b

　　米津宏雄『半導体産業と先端技術』改版、工学図書株式会社、1992年、23頁。

　　DRAMとMPUの列は、ICガイドブック2000年版、57頁。

ICの集積度は急速に上昇してきた　　ムーアの法則

　世界初のICは、トランジスターを2個。

　世界初のMPUは、トランジスターを2300個。

　Pentium II(1997年)では、750万個のトランジスターを集積。

　今ではそれ以上のトランジスターなどがチップに集積されている。

更新日：2005/11/15