通産省からの補助金300億円。総計は700億円

1975年10月　共同研究所のテーマを検討する小委員会を開始。

参加企業は、ノウハウの流出を警戒。超LSI の生産のための基礎的・共通的テーマを選ぶ。
　　4年間で成果が出ること。
主要な分野＝微細加工技術に関する製造装置の開発：　製造装置機器の試作には50社のメーカーが協力
　　第2のテーマ＝シリコン結晶の品質向上。ウェーハの反りの克服。

同年7月　　5社から20数名の研究者が出向。　最後には100名に
　　電子ビーム描画装置を2回試作
　　微細加工装置開発のために3つの研究室。独特な装置を設計、開発

共同研究所の設置：　日本電気中央研究所の建物内に。川崎市。　所長＝垂井

共同研究所の目標：　超LSI が中心になる1980年代に必要な技術を予測
　　1980年代半ばには１M ビットの超LSIメモリー が試作される。線幅は１μm
　　1980年代末には数M ビットの超LSI が試作される。

日本の半導体工業は、米国の半導体製造装置に依存してきた。
新しい分野を切り開くには、国内で新しい製造装置が開発されることが望ましい。日米摩擦も減るだろう。/170
複数の装置が同じ共同研究所内で計画され、建設された。
　無駄がなく、長所を互いに利用し、競争原理もはたらいた。　＝＞有効な開発へ

ICの量産性は転写装置による

1. 紫外線で拡大マスク（リチクル）のパタンをウェーハに縮小投影＝ステッパー。　by 日本光学
2. 遠紫外線で原寸マスクのパタンをウェーハの全面に転写。　by キヤノン

1. 3種の電子ビーム描画装置
2. 電子ビーム描画のソフトウェア
3. 高解像度・高速度のマスク（転写用ネガ）検査装置
4. 四種の転写装置
5. シリコンウェハに含まれる酸素と炭素の影響の解明

1. タイミング：1980年代のコンピューター産業に関して危機意識があったので、5社の社長が推進。　＊IBMのFS
2. 事前の準備：通産省を中心に運営方法、研究計画、人選など。
3. 目標と期間が明確：研究計画に無駄がない
4. 決定と運営が柔軟
5. フレキシブルな決定と運営